规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
60 |
晶体管类型 |
NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
25V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
1.8V @ 1A, 5A |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
45 @ 2A, 1V |
功率 - 最大 |
15W |
频率转换 |
65MHz |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-225AA, TO-126-3 |
供应商器件封装 |
TO-126 |
包装材料
|
Tube |
包装 |
3TO-126 |
类型 |
NPN |
引脚数 |
3 |
最大集电极发射极电压 |
25 V |
集电极最大直流电流 |
5 A |
最小直流电流增益 |
70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V |
最大工作频率 |
65(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 |
0.3@50mA@500mA|0.75@200mA@2A|1.8@1A@5A V |
最大集电极基极电压 |
40 V |
工作温度 |
-65 to 150 °C |
最大功率耗散 |
15000 mW |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Rail / Tube |
集电极最大直流电流 |
5 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-225-AA |
最低工作温度 |
-65 |
最大功率耗散 |
15000 |
最大基地发射极电压 |
8 |
Maximum Transition Frequency |
65(Min) |
封装 |
Rail |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
40 |
供应商封装形式 |
TO-126 |
最大集电极发射极电压 |
25 |
铅形状 |
Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
5A |
晶体管类型 |
NPN |
安装类型 |
Through Hole |
频率 - 转换 |
65MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
1.8V @ 1A, 5A |
电流 - 集电极截止(最大) |
100nA (ICBO) |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
25V |
供应商设备封装 |
TO-126 |
功率 - 最大 |
15W |
封装/外壳 |
TO-225AA, TO-126-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
45 @ 2A, 1V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
60 |
晶体管极性 |
NPN |
发射极 - 基极电压VEBO |
8 V |
零件号别名 |
MJE200STU_NL |
安装风格 |
Through Hole |
产品种类 |
Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 |
45 |
直流电流增益hFE最大值 |
180 |
单位重量 |
0.026843 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
25 V |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 |
1.8 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
连续集电极电流 |
5 A |
增益带宽产品fT |
65 MHz |
系列 |
MJE200 |
集电极 - 基极电压VCBO |
40 V |
最低工作温度 |
- 65 C |
集电极电流( DC)(最大值) |
5 A |
集电极 - 基极电压 |
40 V |
集电极 - 发射极电压 |
25 V |
发射极 - 基极电压 |
8 V |
频率(最大) |
65 MHz |
功率耗散 |
15 W |
工作温度范围 |
-65C to 150C |
包装类型 |
TO-126 |
元件数 |
1 |
直流电流增益(最小值) |
70 |
工作温度分类 |
Military |
弧度硬化 |
No |
频率 |
65 MHz |
集电极电流(DC ) |
5 A |
直流电流增益 |
70 |
宽度 |
3.25 mm |
长度 |
8 mm |
身高 |
11 mm |
Pd - Power Dissipation |
15 W |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |